IRF3808PBF, HEXFET N-Ch MOSFET 140A 8

PartNumber: IRF3808PBF
Ном. номер: 8049207024
Производитель: International Rectifier
IRF3808PBF, HEXFET N-Ch MOSFET 140A 8
Доступно на заказ более 30 шт. Отгрузка со склада в Москве 6 недель.
160 × = 800
Количество товаров должно быть кратно 5 шт.
от 35 шт. — 120 руб.
от 70 шт. — 96.86 руб.

Описание

HEXFET® N-Channel Power MOSFET over 55A, International Rectifier

MOSFET Transistors, International Rectifier Cam & Groove Couplings - Polypropylene
Infineon comprehensive portfolio of rugged single and dual N-channel and P-channel devices offer fast switching speeds and addresses a wide variety of power requirements. Applications range from ac-dc and DC-DC power supplies to audio and consumer electronics and from motor control to lighting and home appliances.

Полупроводники / Дискретные компоненты / Полевых МОП-транзисторы /
Infineon IRF3808PBF N-channel MOSFET Transistor, 140 A, 75 V, 3-Pin TO-220AB

Технические параметры

Категория
Мощный МОП-транзистор
Номер канала
Поднятие
Тип канала
N
Конфигурация
Single
Размеры
10.67 x 4.83 x 16.51мм
Максимальный непрерывный ток стока
140 A
Максимальное сопротивление сток-исток
0.007 Ом
Максимальное напряжение сток-исток
75 V
Максимальное напряжение затвор-исток
±20 V
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Максимальное рассеяние мощности
330 W
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Количество элементов на ИС
1
Тип корпуса
TO-220AB
Число контактов
3
Типичный заряд затвора при Vgs
150 нКл
Типичная входная емкость при Vds
5310 пФ при 25 В
Типичное время задержки выключения
68 нс
Типичное время задержки включения
16 нс
Ширина
4.83mm
Материал транзистора
Si
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Высота
16.51mm
Длина
10.67mm
Тип монтажа
Through Hole

Дополнительная информация

IRF3808PbF, HEXFET Power MOSFET