Добавить к сравнению Сравнить ()

IRF3808SPBF, D2Pak

Артикул: IRF3808SPBF
Ном. номер: 2059254856
Производитель: International Rectifier
Фото 1/3 IRF3808SPBF, D2Pak
Фото 2/3 IRF3808SPBF, D2PakФото 3/3 IRF3808SPBF, D2Pak
Доступно на заказ более 10 шт. Отгрузка со склада в Москве 5 рабочих дней.
340 × = 340
от 10 шт. — 180 руб.
от 50 шт. — 134.24 руб.

Описание

The IRF3808SPBF is a HEXFET® single N-channel advanced planar stripe Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low ON-resistance per silicon area. It features 175°C junction operating temperature, low junction-to-case, fast switching speed and improved repetitive avalanche rating. This combination makes the design an extremely efficient and reliable choice for use in a wide variety of applications.

• Advanced process technology
• Dynamic dV/dt rating
• Repetitive avalanche allowed up to Tjmax

Технические параметры

Структура
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
±20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм
7
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
Крутизна характеристики, S
Корпус
Пороговое напряжение на затворе
2…4

Техническая документация

IRF3808SPBF Datasheet
pdf, 309 КБ

Дополнительная информация

Datasheet IRF3808SPBF
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов