Добавить к сравнению Сравнить ()

IRF5305PBF, Транзистор, P-канал 55В 31А [TO-220AB]

Артикул: IRF5305PBF
Ном. номер: 15426
Производитель: International Rectifier
Фото 1/3 IRF5305PBF, Транзистор, P-канал 55В 31А [TO-220AB]
Фото 2/3 IRF5305PBF, Транзистор, P-канал 55В 31А [TO-220AB]Фото 3/3 IRF5305PBF, Транзистор, P-канал 55В 31А [TO-220AB]
Есть в наличии более 500 шт. Отгрузка со склада в Москве 1-2 рабочих дня.
36 × = 36
от 50 шт. — 32 руб.
от 500 шт. — 31 руб.
Цена и наличие в магазинах

Описание

The IRF5305PBF from International Rectifier is -55V single P channel HEXFET power MOSFET in TO-220AB package. This MOSFET features extremely low on resistance per silicon area, dynamic dv/dt rating, rugged, fast switching and fully avalanche rated as a result, power MOSFET are well know to provide extremely efficiency and reliability which can be used in wide variety of applications.

• Drain to source voltage Vds is -55V
• Gate to source voltage is ±20V
• On resistance Rds(on) of 60mohm at Vgs of -10V
• Power dissipation Pd of 110W at 25°C
• Continuous drain current Id of -31A at Vgs -10V and 25°C
• Junction temperature range from -55°C to 175°C

Технические параметры

Структура
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
±20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм
60
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
Крутизна характеристики, S
Корпус
Пороговое напряжение на затворе
-4

Техническая документация

IRF5305 Datasheet
pdf, 129 КБ

Дополнительная информация

Datasheet IRF5305PBF
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов