Добавить к сравнению Сравнить ()

IRF540NPBF, Транзистор, N-канал 100В 33А [TO-220AB]

Артикул: IRF540NPBF
Ном. номер: 328928495
Производитель: International Rectifier
Фото 1/3 IRF540NPBF, Транзистор, N-канал 100В 33А [TO-220AB]
Фото 2/3 IRF540NPBF, Транзистор, N-канал 100В 33А [TO-220AB]Фото 3/3 IRF540NPBF, Транзистор, N-канал 100В 33А [TO-220AB]
Есть в наличии более 500 шт. Отгрузка со склада в Москве 1-2 рабочих дня.
Ожидается поступление: 27 января 2017 г. — 2 650 шт.
30 × = 30
от 50 шт. — 27 руб.
от 500 шт. — 26 руб.
Цена и наличие в магазинах

Описание

The IRF540NPBF from International Rectifier is 100V single N channel HEXFET power MOSFET in TO-220AB package. This MOSFET features extremely low on resistance per silicon area, dynamic dv/dt rating, rugged, fast switching and fully avalanche rated as a result, power MOSFET are well know to provide extremely efficiency and reliability which can be used in wide variety of applications.

• Drain to source voltage Vds is 100V
• Gate to source voltage is ±20V
• On resistance Rds(on) of 44mohm at Vgs of 10V
• Power dissipation Pd of 130W at 25°C
• Continuous drain current Id of 33A at Vgs 10V and 25°C
• Operating junction temperature range from -55°C to 175°C

Технические параметры

Структура
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
±20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм
44
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
Крутизна характеристики, S
Корпус
Пороговое напряжение на затворе
2…4

Техническая документация

IRF540NPBF Datasheet
pdf, 153 КБ
IRF540n datasheet
pdf, 102 КБ

Дополнительная информация

Datasheet IRF540NPBF
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Видео