IRF540ZPBF, Транзистор, N-канал 100В 36А [TO-220AB]
![Фото 1/7 IRF540ZPBF, Транзистор, N-канал 100В 36А [TO-220AB]](https://static.chipdip.ru/lib/215/DOC001215990.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
130 руб.
от 15 шт. —
87 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 130 руб.
Описание
The Infineon range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages.
Технические параметры
| Структура | N-канал | |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 | |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 36 | |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 | |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.0265 Ом/22А, 10В | |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 92 | |
| Корпус | TO-220AB | |
| Пороговое напряжение на затворе | 2…4 | |
| Вес, г | 2.5 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet IRF540ZLPBF
pdf, 383 КБ
Datasheet IRF540ZPBF
pdf, 302 КБ
Datasheet IRF540ZPBF
pdf, 378 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
С этим товаром покупают
