IRF5801TRPBF, МОП-транзистор, N Канал, 600 мА, 200 В, 2.2 Ом, 10 В, 5.5 В

PartNumber: IRF5801TRPBF
Ном. номер: 8055777798
Производитель: Infineon Technologies
IRF5801TRPBF, МОП-транзистор, N Канал ...
Доступно на заказ 128 шт. Отгрузка со склада в Москве 7 недель.
19 × = 19
от 25 шт. — 17 руб.
от 100 шт. — 15 руб.

Описание

The IRF5801TRPBF is a HEXFET® single N-channel Power MOSFET offers low gate-to-drain charge to reduce switching losses. It is suitable for high frequency DC-to-DC converters, DC switches and load switch.

• Fully characterized avalanche voltage and current
• Fully characterized capacitance including effective COSS to simplify design
• Halogen-free

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\МОП-транзисторы
Код: 1298504

Технические параметры

Полярность Транзистора
N Канал
Непрерывный Ток Стока
600мА
Напряжение Истока-стока Vds
200В
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)
2.2Ом
Напряжение Измерения Rds(on)
10В
Пороговое Напряжение Vgs
5.5В
Рассеиваемая Мощность
2Вт
Стиль Корпуса Транзистора
TSOP
Количество Выводов
6вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура
150°C
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)
MSL 1 - Безлимитный

Дополнительная информация

Datasheet IRF5801TRPBF