IRF5810TRPBF, Транзистор, HEXFET, 2P-канал 20В 2.9А [TSOP-6]
![IRF5810TRPBF, Транзистор, HEXFET, 2P-канал 20В 2.9А [TSOP-6]](https://static.chipdip.ru/lib/257/DOC005257820.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
29 руб.
от 100 шт. —
26 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 29 руб.
Технические параметры
| Структура | 2P-канала | |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 20 | |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 2.9 | |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 | |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.09 Ом/2.9А, 4.5В | |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.96 | |
| Крутизна характеристики, S | 5.4 | |
| Корпус | TSOP-6/TSOT-23-6 | |
| Пороговое напряжение на затворе | -0.45…-1.2 | |
| Вес, г | 0.1 |
Техническая документация
Datasheet IRF5810PBF
pdf, 193 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
С этим товаром покупают
