Добавить к сравнению Сравнить ()

IRF630, Транзистор, N-канал 200В 9А [TO-220AB]

Артикул: IRF630
Ном. номер: 60186
Производитель: ST Microelectronics
Фото 1/4 IRF630, Транзистор, N-канал 200В 9А [TO-220AB]
Фото 2/4 IRF630, Транзистор, N-канал 200В 9А [TO-220AB]Фото 3/4 IRF630, Транзистор, N-канал 200В 9А [TO-220AB]Фото 4/4 IRF630, Транзистор, N-канал 200В 9А [TO-220AB]
Есть в наличии более 100 шт. Отгрузка со склада в Москве 1-2 рабочих дня.
26 × = 26
от 50 шт. — 24 руб.
от 500 шт. — по запросу
Цена и наличие в магазинах

Описание

The IRF630 from STMicroelectronics is a through hole, 200V N channel mesh overlay II power MOSFET in TO-220 package. This power MOSFET is designed using the company's consolidated strip layout based MESH OVERLAY process which matches and improves the performances. Features extremely high dv/dt capability, very low intrinsic capacitances and gate charge minimized.

• Drain to source voltage (Vds) is 200V
• Gate to source voltage of ±20V
• Continuous drain current (Id) is 9A
• Power dissipation (Pd) is 75W
• Operating junction temperature range from -65°C to 150°C
• Gate threshold voltage of 3V
• Low on state resistance of 350mohm at Vgs 10V

Технические параметры

Структура
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
±20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм
400
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
Крутизна характеристики, S
Корпус
Пороговое напряжение на затворе
2…4

Техническая документация

IRF630 datasheet
pdf, 176 КБ

Дополнительная информация

Datasheet IRF630
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов