IRF630NS
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
490 руб.
от 2 шт. —
390 руб.
от 5 шт. —
309 руб.
от 10 шт. —
282.24 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 490 руб.
Описание
Электроэлемент
MOSFET, N-CH, 200V, 9.3A, TO-263, Transistor Polarity:N Channel, Continuous Drain Current Id:9.3A, Drain Source Voltage Vds:200V, On Resistance Rds(on):0.3ohm, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V, Threshold Voltage Vgs:4V, Power Dissipation, RoHS Compliant: Yes
Технические параметры
| Automotive | No |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current - (A) | 9.3 |
| Maximum Drain Source Resistance - (mOhm) | 300@10V |
| Maximum Drain Source Voltage - (V) | 200 |
| Maximum Gate Source Voltage - (V) | ??20 |
| Maximum Power Dissipation - (mW) | 82000 |
| Military | No |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Operating Temperature - (??C) | -55~175 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 3 |
| Process Technology | HEXFET |
| Standard Package Name | TO-263 |
| Supplier Package | D2PAK |
| Typical Gate Charge @ 10V - (nC) | 35(Max) |
| Typical Gate Charge @ Vgs - (nC) | 35(Max)@10V |
| Typical Input Capacitance @ Vds - (pF) | 575@25V |
| Вес, г | 2.5 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 344 КБ
Datasheet IRF630NPBF
pdf, 335 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
