Добавить к сравнению Сравнить ()

IRF640NSPBF, Транзистор, N-канал 200В 18А [D2PAK]

Артикул: IRF640NSPBF
Ном. номер: 626512696
Производитель: International Rectifier
Фото 1/3 IRF640NSPBF, Транзистор, N-канал 200В 18А [D2PAK]
Фото 2/3 IRF640NSPBF, Транзистор, N-канал 200В 18А [D2PAK]Фото 3/3 IRF640NSPBF, Транзистор, N-канал 200В 18А [D2PAK]
Есть в наличии более 100 шт. Отгрузка со склада в Москве 1-2 рабочих дня.
42 × = 42
от 10 шт. — 34 руб.
от 250 шт. — 32.42 руб. (5 рабочих дней)
Цена и наличие в магазинах

Описание

The IRF640NSPBF is a 200V single N-channel HEXFET® Power MOSFET with extremely low on-resistance per silicon area and fast switching performance using advanced planar technology.

• 175°C Operating temperature
• Fully avalanche rated
• Dynamic dV/dt rating
• Easy to parallel
• Simple drive requirement

Технические параметры

Структура
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
±20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм
150
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
Крутизна характеристики, S
Корпус
Пороговое напряжение на затворе
4

Дополнительная информация

Datasheet IRF640NSPBF
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов