IRF640NSTRLPBF, Транзистор, N-канал 200В 18А [D2-PAK]
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
290 руб.
от 15 шт. —
248 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 290 руб.
Описание
Infineon's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge.
Технические параметры
Структура | N-канал | |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 200 | |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 18 | |
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 | |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.15 Ом/11А, 10В | |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 150 | |
Крутизна характеристики, S | 6.8 | |
Корпус | D2PAK(2 Leads+Tab) | |
Вес, г | 2.5 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet IRF640N, IRF640NS, IRF640NL
pdf, 336 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
С этим товаром покупают