IRF6643TRPBF, МОП-транзистор, N-канальный, 35 А, 150 В, 29 мОм, 10 В, 4 В, [DIRECTFET-MZ]
![Фото 1/4 IRF6643TRPBF, МОП-транзистор, N-канальный, 35 А, 150 В, 29 мОм, 10 В, 4 В, [DIRECTFET-MZ]](https://static.chipdip.ru/lib/314/DOC005314169.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
410 руб.
от 5 шт. —
327 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 410 руб.
Описание
Class D amplifiers are fast becoming the preferred solution for professional and home audio and video systems.
Технические параметры
| Структура | N-канал | |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 150 | |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 35 | |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 | |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.0345 Ом/7.6А, 10В | |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 89 | |
| Крутизна характеристики, S | 16 | |
| Корпус | DirectFET-MZ | |
| Пороговое напряжение на затворе | 3…4.9 | |
| Вес, г | 1.3 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet IRF6643TRPBF
pdf, 439 КБ
Datasheet IRF6643TRPBF
pdf, 453 КБ
Datasheet IRF6643
pdf, 445 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
С этим товаром покупают
