Добавить к сравнению Сравнить ()

IRF7103PBF, Транзистор, 2N-канала 50В 3А 0.13Ом [SO-8]

Артикул: IRF7103PBF
Ном. номер: 64188
Производитель: International Rectifier
Фото 1/3 IRF7103PBF, Транзистор, 2N-канала 50В 3А 0.13Ом [SO-8]
Фото 2/3 IRF7103PBF, Транзистор, 2N-канала 50В 3А 0.13Ом [SO-8]Фото 3/3 IRF7103PBF, Транзистор, 2N-канала 50В 3А 0.13Ом [SO-8]
Есть в наличии более 500 шт. Отгрузка со склада в Москве 1-2 рабочих дня.
19 × = 19
от 50 шт. — 15 руб.
от 500 шт. — 14 руб.
Цена и наличие в магазинах

Описание

The IRF7103PBF is a dual N-channel MOSFET designed for vapour phase, infrared or wave soldering techniques. It has been modified through a customized lead-frame for enhanced thermal characteristics and dual-die capability making it ideal in a variety of power applications. With these improvements, multiple devices can be used in an application with dramatically reduced board space.

• Advanced process technology
• Ultra low ON-resistance
• Surface-mount device
• Dynamic dV/dt rating
• Fast switching performance

Технические параметры

Структура
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
±20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм
130
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
Крутизна характеристики, S
Корпус
Пороговое напряжение на затворе
1…3

Техническая документация

deIRF7103_Data_E
pdf, 273 КБ

Дополнительная информация

Datasheet IRF7103PBF
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов