IRF7104PBF, Транзисто, 2P-канала 20В 2.3А [SO-8]
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
Товар больше не поставляется
33 руб.
от 10 шт. —
28 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 33 руб.
Посмотреть аналоги1
Описание
Infineon’s dual power MOSFETs integrate two HEXFET® devices to provide space-saving, cost-effective switching solutions in high component density designs where board space is at a premium.
Технические параметры
Структура | 2P-канала | |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 20 | |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 2.3 | |
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±12 | |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.25 Ом/1А, 10В | |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2 | |
Крутизна характеристики, S | 2.5 | |
Корпус | SOIC-8 | |
Пороговое напряжение на затворе | -3 | |
Вес, г | 0.15 |
Техническая документация
IRF7104 Datasheet
pdf, 158 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
С этим товаром покупают