Добавить к сравнению Сравнить ()

IRF7205PBF, Транзистор, P-канал 30В 4.6А [SO-8]

Артикул: IRF7205PBF
Ном. номер: 9000058390
Производитель: International Rectifier
Фото 1/4 IRF7205PBF, Транзистор, P-канал 30В 4.6А [SO-8]
Фото 2/4 IRF7205PBF, Транзистор, P-канал 30В 4.6А [SO-8]Фото 3/4 IRF7205PBF, Транзистор, P-канал 30В 4.6А [SO-8]Фото 4/4 IRF7205PBF, Транзистор, P-канал 30В 4.6А [SO-8]
Есть в наличии более 100 шт. Отгрузка со склада в Москве 1-2 рабочих дня.
27 × = 27
от 40 шт. — 21 руб.
от 95 шт. — 13.81 руб. (5 рабочих дней)
Цена и наличие в магазинах

Описание

The IRF7205PBF is a HEXFET® fourth generation single P-channel Power MOSFET utilizes advanced processing techniques to achieve the lowest possible ON-resistance per silicon area. This benefit combined with the fast switching speed and ruggedized device design, provides an extremely efficient device for use in a wide variety of applications. It has been modified through a customized lead-frame for enhanced thermal characteristics and dual-die capability making it ideal in a variety of power applications. With these improvements, multiple devices can be used in an application with dramatically reduced board space. The package is designed for vapour phase, infrared or wave soldering techniques. Power dissipation of greater than 0.8W is possible in a typical PCB mount application.

• Advanced process technology
• Dynamic dV/dt rating
• Fast switching
• Low static drain-to-source ON-resistance
• Fully avalanche rating

Технические параметры

Структура
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
±20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм
70
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
Крутизна характеристики, S
Корпус
Пороговое напряжение на затворе
-3

Техническая документация

IRF7205 datasheet
pdf, 166 КБ

Дополнительная информация

Datasheet IRF7205PBF
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов