IRF7240PBF, Pкан -40В -10.5А SO8
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
44 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 44 руб.
Посмотреть аналоги2
Описание
MOSFET, P CH, -40V, -10.5A, SOIC-8; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-10.5A; Drain Source Voltage Vds:-40V; On Resistance Rds(on):0.015ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage Vgs:-
Технические параметры
| Структура | P-канал | |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 40 | |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 10.5 | |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 | |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.015 Ом/10.5А, 10В | |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2.5 | |
| Крутизна характеристики, S | 17 | |
| Корпус | SOIC-8 | |
| Пороговое напряжение на затворе | -3 | |
| Вес, г | 0.2 |
Техническая документация
IRF7240 Datasheet
pdf, 229 КБ
Datasheet IRF7240TRPBF
pdf, 121 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
