IRF7304TRPBF, HEXFET P-Ch MOSFET 4.3A 2

PartNumber: IRF7304TRPBF
Ном. номер: 8006791416
Производитель: International Rectifier
IRF7304TRPBF, HEXFET P-Ch MOSFET 4.3A 2
Доступно на заказ более 100 шт. Отгрузка со склада в Москве 7 недель.
43 × = 860
Количество товаров должно быть кратно 20 шт.

Описание

HEXFET® P-Channel Power MOSFETs, International Rectifier
HEXFET® Power MOSFETs present a variety of rugged single P-channel devices for AC-DC and DC-DC power supplies to audio and consumer electronics, motor control and lighting and home appliances.

MOSFET Transistors, International Rectifier Cam & Groove Couplings - Polypropylene
Infineon comprehensive portfolio of rugged single and dual N-channel and P-channel devices offer fast switching speeds and addresses a wide variety of power requirements. Applications range from ac-dc and DC-DC power supplies to audio and consumer electronics and from motor control to lighting and home appliances.

Полупроводники / Дискретные компоненты / Полевых МОП-транзисторы /
Infineon IRF7304TRPBF Dual P-channel MOSFET Transistor, 4.3 A, 20 V, 8-Pin SOIC

Технические параметры

Категория
Мощный МОП-транзистор
Номер канала
Поднятие
Тип канала
P
Конфигурация
Dual
Размеры
5 x 4 x 1.5mm
Максимальный непрерывный ток стока
4.3 A
Максимальное сопротивление сток-исток
0.14 Ом
Максимальное напряжение сток-исток
20 V
Максимальное напряжение затвор-исток
±12 V
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальное рассеяние мощности
2 W
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Количество элементов на ИС
2
Тип корпуса
SOIC
Число контактов
8
Типичный заряд затвора при Vgs
22 нКл (макс.) при -4.5 В
Типичная входная емкость при Vds
610 pF@ -15 V
Типичное время задержки выключения
51 ns
Типичное время задержки включения
8.4 ns
Ширина
4mm
Материал транзистора
Si
Maximum Gate Threshold Voltage
0.7V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.7V
Высота
1.5mm
Длина
5mm
Тип монтажа
Surface Mount

Дополнительная информация

IRF7304TRPBF HEXFET Power MOSFET Data Sheet