IRF7307PBF, Транзистор, N/P-каналы 20В 5.2А/-4.3А [SO-8]
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
44 руб.
от 25 шт. —
38 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 44 руб.
Посмотреть аналоги1
Описание
MOSFET, N & P CH, 20V, 5.2A, SOIC-8; Transistor Polarity:N and P Channel; Continuous Drain Current Id:5.2A; Drain Source Voltage Vds:20V; On Resistance Rds(on):0.05ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V; Threshold Voltage Vgs:700mV; Power Dissipation Pd:2W; Transistor Case Style:SOIC; No. of Pins:8Pins; Operating Temperature Max:150°C; Product Range:-; Automotive Qualification Standard:-; MSL:MSL 1 - Unlimited; SVHC:No SVHC (27-Jun-2018)
Технические параметры
Структура | N/P-каналы | |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 20 | |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 5.7/4.7 | |
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±12 | |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.05 Ом/2.6А, 4.5В/0.09 Ом/2.2А, 4.5В | |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2 | |
Крутизна характеристики, S | 8.3/4 | |
Корпус | SOIC-8 | |
Пороговое напряжение на затворе | 0.7/-0.7 | |
Вес, г | 0.15 |
Техническая документация
Datasheet IRF7307TRPBF
pdf, 282 КБ
IRF7307 Datasheet
pdf, 194 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
С этим товаром покупают