IRF7309PBF, Транзистор, N/P-каналы 30B 4A/-3А [SO-8]
![IRF7309PBF, Транзистор, N/P-каналы 30B 4A/-3А [SO-8]](https://static.chipdip.ru/lib/304/DOC005304627.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
35 руб.
от 10 шт. —
29 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 35 руб.
Посмотреть аналоги1
Описание
DUAL N/P CHANNEL MOSFET, 30V, SOIC, Transistor Polarity:N and P Channel, Continuous Drain Current Id:4A, Drain Source Voltage Vds:30V, On Resistance Rds(on):0.05ohm, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V, Threshold Voltage Vgs:1V , RoHS Compliant: Yes
Технические параметры
| Структура | N/P-каналы | |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 | |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 4.9/3.6 | |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 | |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.05 Ом/2.4А, 10В/0.1 Ом/1.8А, 10В | |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1.4 | |
| Крутизна характеристики, S | 5.2/2.5 | |
| Корпус | SOIC-8 | |
| Пороговое напряжение на затворе | 1/-1 | |
| Вес, г | 0.15 |
Техническая документация
IRF7309 Datasheet
pdf, 2083 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
