Добавить к сравнению Сравнить ()

IRF7311PBF, Транзисто, 2N-канала 20В 6.6А [SO-8]

Артикул: IRF7311PBF
Ном. номер: 677236243
Производитель: International Rectifier
Фото 1/2 IRF7311PBF, Транзисто, 2N-канала 20В 6.6А [SO-8]
Фото 2/2 IRF7311PBF, Транзисто, 2N-канала 20В 6.6А [SO-8]
Есть в наличии более 200 шт. Отгрузка со склада в Москве 1-2 рабочих дня.
21 × = 21
от 50 шт. — 17 руб.
от 500 шт. — по запросу
Цена и наличие в магазинах

Описание

The IRF7311PBF is a dual N-channel MOSFET utilizes advanced processing techniques to achieve the lowest possible ON-resistance per silicon area. This benefit combined with the fast switching speed and ruggedized device. The HEXFET Power MOSFET is extremely efficient device for use in a wide variety of applications. The SO-8 has been modified through a customized lead-frame for enhanced thermal characteristics and dual-die capability making it ideal in a variety of power applications. With these improvements, multiple devices can be used in an application with dramatically reduced board space.

• Generation V technology
• Ultra low ON-resistance
• Surface-mount device
• Fully avalanche rated

Технические параметры

Структура
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
±12
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм
29
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
Крутизна характеристики, S
Корпус
Пороговое напряжение на затворе
0.7

Техническая документация

IRF7311
pdf, 215 КБ
IRF7311PBF Datasheet
pdf, 1974 КБ

Дополнительная информация

Datasheet IRF7311PBF
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов