IRF7311TRPBF, Транзисто, 2N-канала 20В 6.6А [SO-8]
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
120 руб.
от 25 шт. —
91 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 120 руб.
Описание
The Infineon series fifth generation HEXFET from International rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on resistance for Silicon area.
Технические параметры
Структура | 2N-канала | |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 20 | |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 6.6 | |
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±12 | |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.029 Ом/6А, 4.5В | |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2 | |
Крутизна характеристики, S | 20 | |
Корпус | SOIC-8 | |
Вес, г | 0.15 |
Техническая документация
Datasheet IRF7311TRPBF
pdf, 1973 КБ
Datasheet IRF7311
pdf, 1973 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
С этим товаром покупают