Добавить к сравнению Сравнить ()

IRF7314PBF, Транзисто, 2P-канала 20В 5.3А [SO-8]

Артикул: IRF7314PBF
Ном. номер: 682448392
Производитель: International Rectifier
Фото 1/2 IRF7314PBF, Транзисто, 2P-канала 20В 5.3А [SO-8]
Фото 2/2 IRF7314PBF, Транзисто, 2P-канала 20В 5.3А [SO-8]
Есть в наличии более 500 шт. Отгрузка со склада в Москве 1-2 рабочих дня.
26 × = 26
от 50 шт. — 22 руб.
от 500 шт. — 21 руб.
Цена и наличие в магазинах

Описание

The IRF7314PBF is a dual P-channel MOSFET utilizes advanced processing techniques to achieve the lowest possible ON-resistance per silicon area. This benefit combined with the fast switching speed and ruggedized device. The HEXFET Power MOSFET is extremely efficient device for use in a wide variety of applications. The SO-8 has been modified through a customized lead-frame for enhanced thermal characteristics and dual-die capability making it ideal in a variety of power applications. With these improvements, multiple devices can be used in an application with dramatically reduced board space.

• Generation V technology
• Ultra low ON-resistance
• Surface-mount device
• Fully avalanche rated

Технические параметры

Структура
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
±12
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм
58
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
Крутизна характеристики, S
Корпус
Пороговое напряжение на затворе
-0.7

Дополнительная информация

Datasheet IRF7314PBF
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов