IRF7316

IRF7316
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
210 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт.160 руб.
от 10 шт.130 руб.
от 100 шт.110.75 руб.
Добавить в корзину 2 шт. на сумму 420 руб.
Номенклатурный номер: 8002025297

Описание

Электроэлемент
MOSFET, DUAL P CH, -30V, -4.9A, SOIC-8; Transistor Polarity:Dual P Channel; Continuous Drain Current Id:-4.9A; Drain Source Voltage Vds:-30V; On Resistance Rds(on):0.042ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Volta

Технические параметры

Brand Infineon/IR
Channel Mode Enhancement
Configuration Dual
Factory Pack Quantity 4000
Fall Time 32 ns
Forward Transconductance - Min 7.7 S
Height 1.75 mm
Id - Continuous Drain Current -4.9 A
Length 4.9 mm
Manufacturer Infineon
Maximum Operating Temperature +150 C
Minimum Operating Temperature -55 C
Mounting Style SMD/SMT
Number of Channels 2 Channel
Package / Case SO-8
Packaging Reel
Pd - Power Dissipation 2 W
Product Category MOSFET
Qg - Gate Charge 23 nC
Rds On - Drain-Source Resistance 76 mOhms
Rise Time 13 ns
RoHS Details
Technology Si
Transistor Polarity P-Channel
Transistor Type 2 P-Channel
Typical Turn-Off Delay Time 34 ns
Typical Turn-On Delay Time 13 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage -30 V
Vgs - Gate-Source Voltage 20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage -1 V
Width 3.9 mm
Вес, г 0.15

Техническая документация

Документация
pdf, 212 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Видео