IRF7316
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
210 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт. —
160 руб.
от 10 шт. —
130 руб.
от 100 шт. —
110.75 руб.
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 420 руб.
Описание
Электроэлемент
MOSFET, DUAL P CH, -30V, -4.9A, SOIC-8; Transistor Polarity:Dual P Channel; Continuous Drain Current Id:-4.9A; Drain Source Voltage Vds:-30V; On Resistance Rds(on):0.042ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Volta
Технические параметры
Brand | Infineon/IR |
Channel Mode | Enhancement |
Configuration | Dual |
Factory Pack Quantity | 4000 |
Fall Time | 32 ns |
Forward Transconductance - Min | 7.7 S |
Height | 1.75 mm |
Id - Continuous Drain Current | -4.9 A |
Length | 4.9 mm |
Manufacturer | Infineon |
Maximum Operating Temperature | +150 C |
Minimum Operating Temperature | -55 C |
Mounting Style | SMD/SMT |
Number of Channels | 2 Channel |
Package / Case | SO-8 |
Packaging | Reel |
Pd - Power Dissipation | 2 W |
Product Category | MOSFET |
Qg - Gate Charge | 23 nC |
Rds On - Drain-Source Resistance | 76 mOhms |
Rise Time | 13 ns |
RoHS | Details |
Technology | Si |
Transistor Polarity | P-Channel |
Transistor Type | 2 P-Channel |
Typical Turn-Off Delay Time | 34 ns |
Typical Turn-On Delay Time | 13 ns |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | -30 V |
Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | -1 V |
Width | 3.9 mm |
Вес, г | 0.15 |
Техническая документация
Документация
pdf, 212 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов