IRF7317TRPBF, Двойной МОП-транзистор, N и P Канал, 6.6 А, 20 В, 0.023 Ом, 4.5 В, 700 мВ

PartNumber: IRF7317TRPBF
Ном. номер: 8003807491
Производитель: Infineon Technologies
IRF7317TRPBF, Двойной МОП-транзистор, N и P Канал, 6.6 А, 20 В, 0.023 Ом, 4.5 В, 700 мВ
Доступно на заказ 2545 шт. Отгрузка со склада в Москве 6 недель.
110 × = 110
от 25 шт. — 62 руб.
от 100 шт. — 53 руб.
Есть аналоги

Описание

The IRF7317TRPBF is a dual N/P-channel MOSFET utilizes advanced processing techniques to achieve the lowest possible ON-resistance per silicon area. This benefit combined with the fast switching speed and ruggedized device. The HEXFET Power MOSFET is extremely efficient device for use in a wide variety of applications. The SO-8 has been modified through a customized lead-frame for enhanced thermal characteristics and dual-die capability making it ideal in a variety of power applications. With these improvements, multiple devices can be used in an application with dramatically reduced board space.

• Generation V technology
• Ultra low ON-resistance
• Surface-mount device
• Fully avalanche rated

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\МОП-транзисторы
Код: 2468011

Технические параметры

Полярность Транзистора
N и P Канал
Непрерывный Ток Стока
6.6А
Напряжение Истока-стока Vds
20В
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)
0.023Ом
Напряжение Измерения Rds(on)
4.5В
Пороговое Напряжение Vgs
700мВ
Рассеиваемая Мощность
2Вт
Стиль Корпуса Транзистора
SOIC
Количество Выводов
8вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура
150°C
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)
MSL 1 - Безлимитный

Дополнительная информация

Datasheet IRF7317TRPBF