IRF7341TR, Транзистор 2N-MOSFET 55В 4.7А 2Вт [SOP-8]

IRF7341TR, Транзистор 2N-MOSFET 55В 4.7А 2Вт [SOP-8]
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
3319 шт. со склада г.Москва
25 руб.
от 50 шт.22 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 25 руб.
Альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 9001231177
Артикул: IRF7341TR
PartNumber: UMW IRF7341TR

Технические параметры

Структура 2N-канала
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 55
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 4.7
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 30 мОм/4.7А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 2
Крутизна характеристики, S 7.9
Корпус SOIC-8
Пороговое напряжение на затворе 1 min.
Вес, г 0.15

Техническая документация

Datasheet UMW IRF7341
pdf, 374 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.