Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › Infineon › IRF7351TRPBF, Транзистор HEXFET ...

IRF7351TRPBF, Транзистор HEXFET, 2N-канала 60В 8А [SO-8]

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

320 руб.

от 25 шт. — 296 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 320 руб.

Номенклатурный номер: 9000547574

Артикул: IRF7351TRPBF

Бренд: INFINEON TECHNOLOGIES AG.

Описание

Описание Транзистор полевой IRF7351TRPBF от известного производителя INFINEON - это высококачественный компонент для современной электроники. Благодаря монтажу в формате SMD, данный транзистор идеально подходит для поверхностного монтажа на печатные платы. С током стока до 8 А и напряжением сток-исток в 60 В, он обеспечивает надежную работу в широком диапазоне электрических цепей. Мощность транзистора составляет 2 Вт, что делает его достаточно мощным для большинства задач. Тип N-MOSFET указывает на использование N-канального металлооксидного полевого транзистора, что является стандартом в промышленности для высокоэффективных переключающих устройств. Корпус SO8 обеспечивает компактность и экономию пространства на плате. Покупая IRF7351TRPBF, вы получаете надежный компонент для ваших электронных проектов. Характеристики

Категория	Транзистор
Тип	полевой
Вид	N-MOSFET
Монтаж	SMD
Ток стока, А	8
Напряжение сток-исток, В	60
Мощность, Вт	2
Корпус	SO8

Технические параметры

Структура	2N-канала
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А	8
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В	±20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)	0.0178 Ом/8А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт	2
Крутизна характеристики, S	18
Корпус	SOIC-8
Вес, г	0.15