IRF7351TRPBF, MOSFET N-Channel HEXFET 6

PartNumber: IRF7351TRPBF
Ном. номер: 8047660994
Производитель: International Rectifier
IRF7351TRPBF, MOSFET N-Channel HEXFET 6
Доступно на заказ более 60 шт. Отгрузка со склада в Москве 6 недель.
80 × = 800
Количество товаров должно быть кратно 10 шт.
от 50 шт. — 57 руб.
от 250 шт. — 41.92 руб.

Описание

HEXFET® Dual N-Channel Power MOSFET, International Rectifier

MOSFET Transistors, International Rectifier Cam & Groove Couplings - Polypropylene
Infineon comprehensive portfolio of rugged single and dual N-channel and P-channel devices offer fast switching speeds and addresses a wide variety of power requirements. Applications range from ac-dc and DC-DC power supplies to audio and consumer electronics and from motor control to lighting and home appliances.

Полупроводники / Дискретные компоненты / Полевых МОП-транзисторы /
Infineon IRF7351TRPBF Dual N-channel MOSFET Transistor, 8 A, 60 V, 8-Pin SOIC

Технические параметры

Высота
1.5mm
Максимальное сопротивление сток-исток
17.8 mΩ
Количество элементов на ИС
2
Ширина
4mm
Максимальное рассеяние мощности
2 W
Максимальное напряжение затвор-исток
±20 V
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Число контактов
8
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Типичное время задержки выключения
17 нс
Прямое напряжение диода
1.3V
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичная входная емкость при Vds
1330 pF @ 30 V
Конфигурация
Двойной затвор, двойной источник, четырехканальный дренаж
Типичный заряд затвора при Vgs
24 нКл при 10 В
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Тип канала
N
Тип монтажа
Surface Mount
Типичное время задержки включения
5.1 нс
Номер канала
Enhancement
Материал транзистора
Кремний
Размеры
5 x 4 x 1.5мм
Длина
5mm
Максимальное напряжение сток-исток
60 V
Тип корпуса
SOIC
Максимальный непрерывный ток стока
8 A
Максимальная рабочая температура
+150 °C

Дополнительная информация

IRF7351PbF Dual N-channel HEXFET Power MOSFET