Добавить к сравнению Сравнить ()

IRF7401PBF, Транзистор, N-канал 20В 8.7А [SO-8]

Артикул: IRF7401PBF
Ном. номер: 14879
Производитель: International Rectifier
Фото 1/3 IRF7401PBF, Транзистор, N-канал 20В 8.7А [SO-8]
Фото 2/3 IRF7401PBF, Транзистор, N-канал 20В 8.7А [SO-8]Фото 3/3 IRF7401PBF, Транзистор, N-канал 20В 8.7А [SO-8]
Есть в наличии более 100 шт. Отгрузка со склада в Москве 1-2 рабочих дня.
26 × = 26
от 50 шт. — 20 руб.
от 500 шт. — по запросу
Цена и наличие в магазинах


The IRF7401PBF is a HEXFET® single N-channel Power MOSFET utilizes advanced processing techniques to achieve extremely low ON-resistance per silicon area. This benefit combined with the fast switching speed and ruggedized device design, provides an extremely efficient and reliable operation. It has been modified through a customized lead-frame for enhanced thermal characteristics and multiple-die capability making it ideal in a variety of power applications. With these improvements, multiple devices can be used in an application with dramatically reduced board space. The package is designed for vapour phase, infrared or wave soldering techniques. Power dissipation of greater than 0.8W is possible in a typical PCB mount application.

• Generation V technology
• Dynamic dV/dt rating
• Fast switching
• Low static drain-to-source ON-resistance
• Fully avalanche rating

Технические параметры

Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
Крутизна характеристики, S
Пороговое напряжение на затворе

Дополнительная информация

Datasheet IRF7401PBF
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов