IRF7416TRPBF, Транзистор P-CH 30V 10A [8-SOIC]

Артикул: IRF7416TRPBF
Ном. номер: 9000161624
Производитель: International Rectifier
Фото 1/2 IRF7416TRPBF, Транзистор P-CH 30V 10A [8-SOIC]
Фото 2/2 IRF7416TRPBF, Транзистор P-CH 30V 10A [8-SOIC]
Доступно на заказ более 70 шт. Отгрузка со склада в Москве 6 недель.
70 × = 1 400
Количество товаров должно быть кратно 20 шт.
от 100 шт. — 42 руб.

Описание

P-Channel MOSFETs 8A to 10A

MOSFETs - P-Channel
The Metal–Oxide–Semiconductor Field-Effect Transistor or MOSFET is a transistor used for amplifying or switching electronic signals.
A voltage on the oxide-insulated Gate electrode can induce a conducting channel between the two other contacts called Source and Drain. The channel can be of N-type or P-type.

Полупроводники / Дискретные компоненты / МОП-транзисторы (MOSFETs) /
International Rectifier IRF7416TRPBF P-channel MOSFET Transistor, 10 A, -30 V, 8-pin SOIC

Технические параметры

разрешение
Power MOSFET
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
P
конфигурация
Quad Drain, Triple Source
размеры
5 x 4 x 1.5mm
высота
1.5mm
длина
5mm
Maximum Continuous Drain Current
10 A
Maximum Drain Source Resistance
0.035 Ω
Maximum Drain Source Voltage
-30 V
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальная рассеиваемая мощность
2.5 W
Minimum Operating Temperature
-55 °C
тип монтажа
Surface Mount
Number of Elements per Chip
1
тип упаковки
SOIC
Pin Count
8
Typical Gate Charge @ Vgs
61 nC@ -10 V
Typical Input Capacitance @ Vds
1700 pF@ -25 V
Typical Turn-Off Delay Time
59 ns
Typical Turn-On Delay Time
18 ns
ширина
4mm
Maximum Gate Threshold Voltage
2.04V
Minimum Gate Threshold Voltage
1V

Техническая документация

irf7416pbf
pdf, 237 КБ

Дополнительная информация

Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
IRF7416TRPBF HEXFET Power MOSFET Data Sheet