Добавить к сравнению Сравнить ()

IRF7495PBF, Транзистор N-CH 100V 7.3A [8-SOIC]

Артикул: IRF7495PBF
Ном. номер: 32010957
Производитель: International Rectifier
Фото 1/4 IRF7495PBF, Транзистор N-CH 100V 7.3A [8-SOIC]
Фото 2/4 IRF7495PBF, Транзистор N-CH 100V 7.3A [8-SOIC]Фото 3/4 IRF7495PBF, Транзистор N-CH 100V 7.3A [8-SOIC]Фото 4/4 IRF7495PBF, Транзистор N-CH 100V 7.3A [8-SOIC]
Доступно на заказ 339 шт. Отгрузка со склада в Москве 2-3 недели.
130 × = 130
от 25 шт. — 85 руб.
от 100 шт. — 67 руб.

Описание

N-Channel Power MOSFET up to 7A, International Rectifier
International Rectifier's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.

MOSFET Transistors, International Rectifier
International Rectifier's comprehensive portfolio of rugged single- and dual- N-channel and P-channel devices offers fast switching speeds and addresses a wide variety of power requirements in applications ranging from AC-DC and DC-DC power supplies to audio and consumer electronics and from motor control to lighting and home appliances.

Технические параметры

Структура
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
±20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм
22
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
Крутизна характеристики, S
Корпус
Пороговое напряжение на затворе
4

Техническая документация

IRF7495 Datasheet
pdf, 602 КБ

Дополнительная информация

Datasheet IRF7495PBF
MOSFET N-ch HEXFET 100V 7.3A SOIC8 Data Sheet IRF7495PBF
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов