Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › Infineon › IRF7842TRPBF, Транзистор, HEXFET, N-канал ...

IRF7842TRPBF, Транзистор, HEXFET, N-канал, 40В, 18А [SOIC-8]

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

220 руб.

от 25 шт. — 188 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 220 руб.

Номенклатурный номер: 9000618338

Артикул: IRF7842TRPBF

Бренд: INFINEON TECHNOLOGIES AG.

Описание

Описание Транзистор полевой IRF7842TRPBF от производителя INFINEON - это высокопроизводительный компонент, предназначенный для современных электронных схем. Оснащенный корпусом SO8 для поверхностного монтажа (SMD), этот N-MOSFET транзистор обеспечивает ток стока до 18 Ампер и поддерживает напряжение сток-исток до 40 Вольт, при этом его мощность составляет 2,5 Ватт. Данный транзистор отличается надежностью и долговечностью, что делает его идеальным выбором для разнообразных электронных применений. Продукт под кодом IRF7842TRPBF станет ключевым компонентом в вашей электронной аппаратуре, обеспечивая ее стабильную и эффективную работу. Характеристики

Категория	Транзистор
Тип	полевой
Вид	N-MOSFET
Монтаж	SMD
Ток стока, А	18
Напряжение сток-исток, В	40
Мощность, Вт	2.5
Корпус	SO8

Технические параметры

Структура	N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	40
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А	18
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В	±20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)	0.005 Ом/17А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт	2.5
Крутизна характеристики, S	81
Корпус	SOIC-8
Вес, г	0.15