Добавить к сравнению Сравнить ()

IRF8010SPBF, Nкан 100В 80А D2Pak

Артикул: IRF8010SPBF
Ном. номер: 9000098267
Производитель: International Rectifier
Фото 1/2 IRF8010SPBF, Nкан 100В 80А D2Pak
Фото 2/2 IRF8010SPBF, Nкан 100В 80А D2Pak
Доступно на заказ более 10 шт. Отгрузка со склада в Москве 6 недель.
260 × = 1 300
Количество товаров должно быть кратно 5 шт.
от 10 шт. — 220 руб.
от 20 шт. — 186.50 руб.

Описание

N-Channel Power MOSFET 80A to 99A, International Rectifier
International Rectifier's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.

MOSFET Transistors, International Rectifier
International Rectifier's comprehensive portfolio of rugged single- and dual- N-channel and P-channel devices offers fast switching speeds and addresses a wide variety of power requirements in applications ranging from AC-DC and DC-DC power supplies to audio and consumer electronics and from motor control to lighting and home appliances.

Полупроводники / Дискретные компоненты / МОП-транзисторы (MOSFETs) /
International Rectifier IRF8010SPBF N-channel MOSFET Transistor, 80 A, 100 V, 3-pin D2PAK

Технические параметры

Структура
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
±20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм
15
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
Корпус
Пороговое напряжение на затворе
2…4

Техническая документация

IRF8010SPBF Datasheet
pdf, 224 КБ

Дополнительная информация

Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
IRF8010S/LPbF SMPS MOSFET