IRF820APBF

Фото 1/7 IRF820APBF
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
120 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 120 руб.
Номенклатурный номер: 43336

Описание

Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 500В, 1,6А, 50Вт, TO220AB Характеристики
Категория Транзистор
Тип полевой
Вид MOSFET

Технические параметры

Структура N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 500
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 2.5
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±30
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 3 ом при 1.5a, 10в
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 80
Крутизна характеристики, S 3
Корпус to220ab
Пороговое напряжение на затворе 2…4
Вес, г 2.72

Техническая документация

Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 135 КБ
Datasheet IRF820APBF
pdf, 281 КБ
Datasheet IRF820APBF
pdf, 286 КБ
Datasheet IRF820APBF
pdf, 156 КБ
Документация
pdf, 278 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов