IRF8313
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
220 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт. —
180 руб.
от 10 шт. —
158 руб.
от 100 шт. —
145 руб.
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 440 руб.
Описание
Электроэлемент
MOSFET, DUAL N CH, 30V, 9.7A, SOIC-8; Transistor Polarity:Dual N Channel; Continuous Drain Current Id:9.7A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):0.0125ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage V
Технические параметры
| RoHS Compliant | Yes |
| Вес, г | 0.15 |
Техническая документация
Datasheet IRF8313
pdf, 254 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
