Добавить к сравнению Сравнить ()

IRF8788PBF, Транзистор, N-канал 30В 24А [SO-8]

Артикул: IRF8788PBF
Ном. номер: 9000090704
Производитель: International Rectifier
Фото 1/3 IRF8788PBF, Транзистор, N-канал 30В 24А [SO-8]
Фото 2/3 IRF8788PBF, Транзистор, N-канал 30В 24А [SO-8]Фото 3/3 IRF8788PBF, Транзистор, N-канал 30В 24А [SO-8]
Есть в наличии 41 шт. Отгрузка со склада в Москве 1-2 рабочих дня.
48 × = 48
от 40 шт. — 38 руб.
от 400 шт. — по запросу
Цена и наличие в магазинах

Описание

The IRF8788PBF is a HEXFET® single N-channel Power MOSFET optimized for parameters that are critical in synchronous buck operation including RDS (ON) and gate charge to reduce both conduction and switching losses. The latest HEXFET® power MOSFET silicon technology into the industry standard package. The reduced total losses make this product ideal for high efficiency DC-to-DC converters that power the latest generation of processors for Notebook and Netcom applications.

• Very low gate charge
• Low gate impedance
• Fully characterized avalanche voltage and current
• Low static drain-to-source ON-resistance at 4.5V gate-to-source voltage
• 20V VGS Maximum gate rating

Технические параметры

Структура
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
±20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм
2.8
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
Крутизна характеристики, S
Корпус
Пороговое напряжение на затворе
1.35…2.35

Техническая документация

IRF8788PBF Datasheet
pdf, 227 КБ

Дополнительная информация

Datasheet IRF8788PBF
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов