IRF9328PBF, Транзистор, P-канал 30В 12А [SO-8]
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
Товар больше не поставляется
69 руб.
от 10 шт. —
63 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 69 руб.
Посмотреть аналоги1
Описание
MOSFET, P-CH, -30V, -12A, SOIC-8; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-12A; Drain Source Voltage Vds:-30V; On Resistance Rds(on):0.01ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage Vgs:-1.8V; Power Dissipation Pd:2.5W; Transistor Case Style:SOIC; No. of Pins:8Pins; Operating Temperature Max:150°C; Product Range:HEXFET Series; Automotive Qualification Standard:-; MSL:MSL 1 - Unlimited; SVHC:No SVHC (27-Jun-2018)
Технические параметры
Структура | P-канал | |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 | |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 12 | |
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 | |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.0119 Ом/12А, 10В | |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2.5 | |
Крутизна характеристики, S | 20 | |
Корпус | SOIC-8 | |
Особенности | быстродействующий ключ | |
Пороговое напряжение на затворе | -1.3…-2.4 | |
Вес, г | 0.15 |
Техническая документация
IRF9328PBF datasheet
pdf, 323 КБ
Документация
pdf, 315 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
С этим товаром покупают