Добавить к сравнению Сравнить ()

IRF9540NPBF, Транзистор, P-канал 100В 23А [TO-220AB]

Артикул: IRF9540NPBF
Ном. номер: 17674
Производитель: International Rectifier
Фото 1/3 IRF9540NPBF, Транзистор, P-канал 100В 23А [TO-220AB]
Фото 2/3 IRF9540NPBF, Транзистор, P-канал 100В 23А [TO-220AB]Фото 3/3 IRF9540NPBF, Транзистор, P-канал 100В 23А [TO-220AB]
Есть в наличии более 500 шт. Отгрузка со склада в Москве 1-2 рабочих дня.
35 × = 35
от 50 шт. — 30 руб.
от 500 шт. — 29 руб.
Цена и наличие в магазинах

Описание

The IRF9540NPBF from International Rectifier is -100V single P channel HEXFET power MOSFET in TO-220AB. This MOSFET features extremely low on resistance per silicon area, dynamic dv/dt rating, rugged, fast switching and fully avalanche rated as a result, power MOSFET are well know to provide extremely efficiency and reliability which can be used in wide variety of applications.

• Drain to source voltage Vds is -100V
• Gate to source voltage is ±20V
• On resistance Rds(on) of 117mohm at Vgs of -10V
• Power dissipation Pd of 140W at 25°C
• Continuous drain current Id of -23A at Vgs -10V and 25°C
• Operating junction temperature range from -55°C to 175°C

Технические параметры

Структура
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
±20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм
117
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
Крутизна характеристики, S
Корпус
Пороговое напряжение на затворе
-4

Техническая документация

IRF9540N
pdf, 125 КБ
IRF9540 datasheet
pdf, 172 КБ
IRF9540NPBF Datasheet
pdf, 2549 КБ

Дополнительная информация

Datasheet IRF9540NPBF
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Видео