Добавить к сравнению Сравнить ()

IRF9Z24NPBF, Транзистор, P-канал 55В 12А [TO-220AB]

Артикул: IRF9Z24NPBF
Ном. номер: 9000135729
Производитель: International Rectifier
Фото 1/3 IRF9Z24NPBF, Транзистор, P-канал 55В 12А [TO-220AB]
Фото 2/3 IRF9Z24NPBF, Транзистор, P-канал 55В 12А [TO-220AB]Фото 3/3 IRF9Z24NPBF, Транзистор, P-канал 55В 12А [TO-220AB]
Есть в наличии более 200 шт. Отгрузка со склада в Москве 1-2 рабочих дня.
24 × = 24
от 50 шт. — 20 руб.
от 900 шт. — 18.16 руб. (3 рабочих дня)
Цена и наличие в магазинах

Описание

The IRF9Z24NPBF is a -55V single P-channel HEXFET® Power MOSFET, fifth generation HEXFET utilizes advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET power MOSFET is well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications. The package is universally preferred for all commercial-industrial applications at power dissipation levels to approximately 50W.

• Advanced process technology
• Dynamic dV/dt rating
• Fully avalanche rated
• 175°C Operating temperature

Технические параметры

Структура
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
±20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм
175
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
Крутизна характеристики, S
Корпус

Техническая документация

IRF9Z24NPBF Datasheet
pdf, 2354 КБ

Дополнительная информация

Datasheet IRF9Z24NPBF
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов