Добавить к сравнению Сравнить ()

IRF9Z24SPBF, МОП-транзистор, P Канал, 11 А, -60 В, 280 мОм, -10 В, -4 В

PartNumber: IRF9Z24SPBF
Ном. номер: 8008755303
Производитель: Vishay
Фото 1/2 IRF9Z24SPBF, МОП-транзистор, P Канал, 11 А, -60 В, 280 мОм, -10 В, -4 В
Фото 2/2 IRF9Z24SPBF, МОП-транзистор, P Канал, 11 А, -60 В, 280 мОм, -10 В, -4 В
Доступно на заказ 343 шт. Отгрузка со склада в Москве 2-3 недели.
78 × = 78
от 25 шт. — 63 руб.
от 100 шт. — 58 руб.
Есть аналоги

Описание

The IRF9Z24SPBF is a third generation P-channel enhancement-mode Power MOSFET comes with the best combination of fast-switching, ruggedized device design and low ON-resistance. The D2PAK is a surface-mount power package capable of accommodating die size up to HEX-4. It provides the highest power capability in any existing surface-mount package. The D2PAK is suitable for high current applications because of its low internal connection resistance and can dissipate up to 2W in a typical surface-mount application.

• Advanced process technology
• -55 to 175°C Operating temperature range
• Fully avalanche rated
• Surface-mount

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\МОП-транзисторы

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура
175°C
Количество Выводов
3вывод(-ов)
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)
MSL 1 - Безлимитный
Стиль Корпуса Транзистора
TO-263
Рассеиваемая Мощность
60Вт
Полярность Транзистора
P Канал
Напряжение Истока-стока Vds
-60В
Непрерывный Ток Стока
11А
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)
0.28Ом
Напряжение Измерения Rds(on)
-10В
Пороговое Напряжение Vgs
-4В

Дополнительная информация

Datasheet IRF9Z24SPBF
IRF9Z24SPbF P-channel MOSFET 12A 60V D2PAK Data Sheet IRF9Z24SPBF