IRFB11N50APBF, Транзистор N-канал 500В 11А [TO-220AB]
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
250 руб.
от 15 шт. —
226 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 250 руб.
Описание
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 500В, 7А, 170Вт, TO220AB Характеристики
Категория | Транзистор |
Тип | полевой |
Вид | MOSFET |
Технические параметры
Структура | N-канал | |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 500 | |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 11 | |
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±30 | |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.52 Ом/6.6А, 10В | |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 170 | |
Крутизна характеристики, S | 6.1 | |
Корпус | TO-220AB | |
Пороговое напряжение на затворе | 2…4 | |
Вес, г | 2.5 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 155 КБ
IRFB11N50A, SiHFB11N50A_Datasheet
pdf, 137 КБ
Datasheet IRFB11N50A
pdf, 172 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
С этим товаром покупают