IRFB23N15DPBF, MOSFET N-Ch 150V 23A HEXF

PartNumber: IRFB23N15DPBF
Ном. номер: 8094918217
Производитель: International Rectifier
IRFB23N15DPBF, MOSFET N-Ch 150V 23A HEXF
Доступно на заказ более 20 шт. Отгрузка со склада в Москве 6 недель.
180 × = 900
Количество товаров должно быть кратно 5 шт.
от 100 шт. — 120 руб.
от 250 шт. — 100.36 руб.

Описание

HEXFET® N-Channel Power MOSFET up to 50A, International Rectifier
HEXFET® Power MOSFETs present a variety of rugged single N-channel devices for AC-DC and DC-DC power supplies to audio and consumer electronics, motor control and lighting and home appliances.

MOSFET Transistors, International Rectifier
International Rectifier comprehensive portfolio of rugged single and dual N-channel and P-channel devices offer fast switching speeds and addresses a wide variety of power requirements. Applications range from ac-dc and DC-DC power supplies to audio and consumer electronics and from motor control to lighting and home appliances.

Полупроводники / Дискретные компоненты / Полевых МОП-транзисторы /
MOSFET N-Ch 150V 23A HEXFET SMPS TO220AB

Технические параметры

Категория
Мощный МОП-транзистор
Номер канала
Поднятие
Тип канала
N
Конфигурация
Single
Размеры
10.54 x 4.69 x 19.3
Максимальный непрерывный ток стока
23 A
Максимальное сопротивление сток-исток
0.09 Ом
Максимальное напряжение сток-исток
150 V
Максимальное напряжение затвор-исток
±30 V
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Максимальное рассеяние мощности
136 Вт
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Количество элементов на ИС
1
Тип корпуса
TO-220AB
Число контактов
3
Типичный заряд затвора при Vgs
37 нКл при 10 В
Типичная входная емкость при Vds
1200 пФ при -25 В
Типичное время задержки выключения
18 ns
Типичное время задержки включения
10 нс
Ширина
4.69mm
Maximum Gate Threshold Voltage
5.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
3V
Высота
19.3mm
Длина
10.54mm
Тип монтажа
Through Hole

Дополнительная информация

Datasheet
IRFB23N15DPbF, IRFS23N15DPbF, IRFSL23N15DPbF ...