Добавить к сравнению Сравнить ()

IRFB31N20DPBF, Транзистор, N-канал 200В 31А [TO-220AB]

Артикул: IRFB31N20DPBF
Ном. номер: 2644620016
Производитель: International Rectifier
Фото 1/4 IRFB31N20DPBF, Транзистор, N-канал 200В 31А [TO-220AB]
Фото 2/4 IRFB31N20DPBF, Транзистор, N-канал 200В 31А [TO-220AB]Фото 3/4 IRFB31N20DPBF, Транзистор, N-канал 200В 31А [TO-220AB]Фото 4/4 IRFB31N20DPBF, Транзистор, N-канал 200В 31А [TO-220AB]
Есть в наличии более 70 шт. Отгрузка со склада в Москве 1-2 рабочих дня.
65 × = 65
от 50 шт. — 56 руб.
от 500 шт. — по запросу
Цена и наличие в магазинах

Описание

The IRFB31N20DPBF is a 200V single N-channel HEXFET® Power MOSFET with extremely low on-resistance per silicon area and fast switching performance using advanced planar technology.

• Low gate to drain charge to reduce switching loss
• Fully characterized capacitance and avalanche SOA
• Surface mount

Технические параметры

Структура
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
±30
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм
82
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
Крутизна характеристики, S
Корпус

Техническая документация

IRFB31N20DPBF Datasheet
pdf, 290 КБ

Дополнительная информация

Datasheet IRFB31N20DPBF
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов