Добавить к сравнению Сравнить ()

IRFB4020PBF, Транзистор, N-канал 200В 18А 100Вт [TO-220AB] (IRF630) (IRF640)

Артикул: IRFB4020PBF
Ном. номер: 9000087109
Производитель: International Rectifier
Фото 1/3 IRFB4020PBF, Транзистор, N-канал 200В 18А 100Вт [TO-220AB] (IRF630) (IRF640)
Фото 2/3 IRFB4020PBF, Транзистор, N-канал 200В 18А 100Вт [TO-220AB] (IRF630) (IRF640)Фото 3/3 IRFB4020PBF, Транзистор, N-канал 200В 18А 100Вт [TO-220AB] (IRF630) (IRF640)
Есть в наличии более 400 шт. Отгрузка со склада в Москве 1-2 рабочих дня.
50 × = 50
от 40 шт. — 48 руб.
от 400 шт. — 44 руб.
Цена и наличие в магазинах

Описание

The IRFB4020PBF is a HEXFET® single N-channel Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve low ON-resistance per silicon area. Furthermore, gate charge, body-diode reverse recovery and internal gate resistance are optimized to improve key class-D audio amplifier performance factors such as efficiency, THD and EMI. Additional features of this MOSFET are 175°C operating junction temperature and repetitive avalanche capability. These features combine to make this MOSFET a highly efficient, robust and reliable device. It can deliver up to 300W per channel into 8R load in half-bridge configuration amplifier. It is suitable for battery operated drive, full-bridge and push-pull application.

• Low RDS (ON) for improved efficiency
• Low Qg and Qsw for better THD and improved efficiency
• Low QRR for better THD and lower EMI

Технические параметры

Структура
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
±20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм
80
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
Крутизна характеристики, S
Корпус
Пороговое напряжение на затворе
3…4.9

Техническая документация

IRFB4020PBF Datasheet
pdf, 641 КБ

Дополнительная информация

Datasheet IRFB4020PBF
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов