Добавить к сравнению Сравнить ()

IRFB4615PBF, Nкан 55В 110А TO220AB

Артикул: IRFB4615PBF
Ном. номер: 9000074930
Производитель: International Rectifier
Фото 1/2 IRFB4615PBF, Nкан 55В 110А TO220AB
Фото 2/2 IRFB4615PBF, Nкан 55В 110А TO220AB
Есть в наличии более 20 шт. Отгрузка со склада в Москве 3 рабочих дня.
200 × = 200
от 25 шт. — 84 руб.

Описание

Cерия HEXFET полевых транзисторов на напряжения 150 и 200 В производства компании International Rectifier обладает ультра низким зарядом затвора (Qg) и подходит для таких промышленных применений, как импульсные источники питания, источники бесперебойного питания, инверторы и DC привода.

Транзисторы IR с номинальным напряжением 150 В по сравнению со своими конкурирующими аналогами на рынке имеют на 59% сниженный суммарный заряд затвора, для транзисторов IR 200 В это значение составляет 33%. Необходимость в разработке специальной линейки транзисторов с низким Qg вызвана непрерывным усовершенствованием технологий построения DC-DC конвертеров. Увеличение частот, на которых работают преобразователи, вывело на первый план такие параметры транзисторов, как входная емкость и заряд затвора. Именно они стали напрямую влиять на общую эффективность работы транзистора.

MOSFET транзисторы IR на 150/200 В оптимизированы, в первую очередь, для быстродействующих схем, где критичными являются потери на переключение. Таким образом, транзисторы могут применяться в качестве ключей первичных схем в изолированных DC-DC преобразователях телекоммуникационного оборудования или для управления малой нагрузкой в современных DC-DC конвертерах.

Технические параметры

Структура
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
±20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм
32
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
Крутизна характеристики, S
Корпус
Пороговое напряжение на затворе
3…5

Техническая документация

IRFB4615PBF Datasheet
pdf, 294 КБ

Дополнительная информация

Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Видео