IRFB4620PBF, Транзистор N-канал 200В 25А [TO-220AB]
см. техническую документацию
Описание
Cерия HEXFET полевых транзисторов на напряжения 150 и 200 В производства компании International Rectifier обладает ультра низким зарядом затвора (Qg) и подходит для таких промышленных применений, как импульсные источники питания, источники бесперебойного питания, инверторы и DC привода.
Транзисторы IR с номинальным напряжением 150 В по сравнению со своими конкурирующими аналогами на рынке имеют на 59% сниженный суммарный заряд затвора, для транзисторов IR 200 В это значение составляет 33%. Необходимость в разработке специальной линейки транзисторов с низким Qg вызвана непрерывным усовершенствованием технологий построения DC-DC конвертеров. Увеличение частот, на которых работают преобразователи, вывело на первый план такие параметры транзисторов, как входная емкость и заряд затвора. Именно они стали напрямую влиять на общую эффективность работы транзистора.
MOSFET транзисторы IR на 150/200 В оптимизированы, в первую очередь, для быстродействующих схем, где критичными являются потери на переключение. Таким образом, транзисторы могут применяться в качестве ключей первичных схем в изолированных DC-DC преобразователях телекоммуникационного оборудования или для управления малой нагрузкой в современных DC-DC конвертерах.
Технические параметры
Структура | N-канал | |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 200 | |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 25 | |
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 | |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.0725 Ом/15А, 10В | |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 144 | |
Крутизна характеристики, S | 37 | |
Корпус | TO-220AB | |
Пороговое напряжение на затворе | 3…5 | |
Вес, г | 2.5 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов