IRFB4710PBF, Транзистор, N-канал 100В 75А [TO-220AB]
![Фото 1/7 IRFB4710PBF, Транзистор, N-канал 100В 75А [TO-220AB]](https://static.chipdip.ru/lib/213/DOC001213536.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
440 руб.
от 15 шт. —
392 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 440 руб.
Описание
The Infineon range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages.
Технические параметры
| Структура | N-канал | |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 | |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 75 | |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 | |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.014 Ом/45А, 10В | |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 200 | |
| Крутизна характеристики, S | 35 | |
| Корпус | TO-220AB | |
| Пороговое напряжение на затворе | 5.5 | |
| Вес, г | 2.5 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 663 КБ
Datasheet IRFB4710PBF
pdf, 666 КБ
Datasheet IRFB4710
pdf, 245 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
С этим товаром покупают
