Добавить к сравнению Сравнить ()

IRFB52N15DPBF, Транзистор, N-канал 150В 60А [TO-220AB]

Артикул: IRFB52N15DPBF
Ном. номер: 9000037282
Производитель: International Rectifier
Фото 1/4 IRFB52N15DPBF, Транзистор, N-канал 150В 60А [TO-220AB]
Фото 2/4 IRFB52N15DPBF, Транзистор, N-канал 150В 60А [TO-220AB]Фото 3/4 IRFB52N15DPBF, Транзистор, N-канал 150В 60А [TO-220AB]Фото 4/4 IRFB52N15DPBF, Транзистор, N-канал 150В 60А [TO-220AB]
Есть в наличии более 40 шт. Отгрузка со склада в Москве 1-2 рабочих дня.
110 × = 110
от 25 шт. — 92 руб.
от 200 шт. — 82.94 руб. (3 рабочих дня)
Цена и наличие в магазинах

Описание

N-Channel MOSFETs 50A to 54A

MOSFETs - N-Channel
The Metal–Oxide–Semiconductor Field-Effect Transistor or MOSFET is a transistor used for amplifying or switching electronic signals.
A voltage on the oxide-insulated Gate electrode can induce a conducting channel between the two other contacts called Source and Drain. The channel can be of N-type or P-type.

Технические параметры

Структура
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
±30
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм
32
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
Крутизна характеристики, S
Корпус
Пороговое напряжение на затворе
5

Техническая документация

IRFb52n15d
pdf, 136 КБ

Дополнительная информация

Datasheet IRFB52N15DPBF
IRFB52N15DPBF HEXFET Power MOSFET Data Sheet IRFB52N15DPBF
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов