IRFB5620PBF, МОП-транзистор, N Канал, 25 А, 200 В, 60 мОм, 10 В, 5 В

PartNumber: IRFB5620PBF
Ном. номер: 8033941398
Производитель: Infineon Technologies
IRFB5620PBF, МОП-транзистор, N Канал, 25 А ...
Доступно на заказ 121 шт. Отгрузка со склада в Москве 6 недель.
160 × = 160
от 25 шт. — 125 руб.
от 100 шт. — 110 руб.

Описание

The IRFB5620PBF is a HEXFET® single N-channel Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve low ON-resistance per silicon area. Furthermore, gate charge, body-diode reverse recovery and internal gate resistance are optimized to improve key class-D audio amplifier performance factors such as efficiency, THD and EMI. Additional features of this MOSFET are 175°C operating junction temperature and repetitive avalanche capability. These features combine to make this MOSFET a highly efficient, robust and reliable device. It can deliver up to 300W per channel into 8R load in half-bridge configuration amplifier. It is suitable for full-bridge and push-pull application.

• Low RDS (ON) for improved efficiency
• Low Qg and Qsw for better THD and improved efficiency
• Low QRR for better THD and lower EMI

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\МОП-транзисторы
Код: 1704511

Технические параметры

Полярность Транзистора
N Канал
Непрерывный Ток Стока
25А
Напряжение Истока-стока Vds
200В
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)
0.06Ом
Напряжение Измерения Rds(on)
10В
Пороговое Напряжение Vgs
Рассеиваемая Мощность
144Вт
Стиль Корпуса Транзистора
TO-220AB
Количество Выводов
3вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура
175°C

Дополнительная информация

Datasheet IRFB5620PBF