IRFBE20PBF, Транзистор, N-канал 800В 1.8А [TO-220AB]
![Фото 1/8 IRFBE20PBF, Транзистор, N-канал 800В 1.8А [TO-220AB]](https://static.chipdip.ru/lib/211/DOC001211085.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
180 руб.
от 15 шт. —
136 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 180 руб.
Описание
МОП-транзистор 800V Single N-Channel HEXFET
Технические параметры
| Структура | N-канал | |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 800 | |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 1.8 | |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 | |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 6.5 Ом/1.1А, 10В | |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 54 | |
| Крутизна характеристики, S | 0.8 | |
| Корпус | TO-220AB | |
| Пороговое напряжение на затворе | 4 | |
| Вес, г | 2.5 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 1001 КБ
Datasheet
pdf, 1000 КБ
Datasheet IRFBE20PBF
pdf, 379 КБ
Datasheet IRFBE20PBF
pdf, 1145 КБ
IRFBE20 datasheet
pdf, 171 КБ
Документация
pdf, 1144 КБ
Datasheet IRFBE20
pdf, 260 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
С этим товаром покупают
