Добавить к сравнению Сравнить ()

IRFBE30PBF, Транзистор, N-канал 800В 4.1А [TO-220AB]

Артикул: IRFBE30PBF
Ном. номер: 24300
Производитель: Vishay
Фото 1/3 IRFBE30PBF, Транзистор, N-канал 800В 4.1А [TO-220AB]
Фото 2/3 IRFBE30PBF, Транзистор, N-канал 800В 4.1А [TO-220AB]Фото 3/3 IRFBE30PBF, Транзистор, N-канал 800В 4.1А [TO-220AB]
Есть в наличии более 500 шт. Отгрузка со склада в Москве 1-2 рабочих дня.
56 × = 56
от 50 шт. — 39 руб.
от 500 шт. — 37 руб.
Цена и наличие в магазинах

Описание

The IRFBE30PBF is a 800V N-channel Power MOSFET, third generation HEXFET® power MOSFET provides the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design and low on-resistance. The package is universally preferred for all commercial-industrial applications at power dissipation levels to approximately 50W.

• Dynamic dV/dt rating
• Repetitive avalanche rated
• 150°C Operating temperature
• Easy to parallel
• Simple drive requirement

Технические параметры

Структура
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
±20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм
3000
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
Крутизна характеристики, S
Корпус
Пороговое напряжение на затворе
4

Техническая документация

IRFBE30 datasheet
pdf, 167 КБ

Дополнительная информация

Datasheet IRFBE30PBF
Datasheet IRFBE30PBF
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов